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TAV2-14LN+分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
TAV2-14LN+ |
參數(shù)屬性 | TAV2-14LN+ 封裝/外殼為6-TDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET E-PHEMT 4V |
功能描述 | E-PHEMT Transistor |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | MC1630-1 / 6-TDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
5.64998 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
19 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Mini-Circuits |
企業(yè)簡稱 |
MINI |
中文名稱 | Mini-Circuits官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-8 15:31:00 |
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TAV2-14LN+屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由Mini-Circuits制造生產(chǎn)的TAV2-14LN+晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
TAV2-14LN+
- 制造商:
Mini-Circuits
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
E-pHEMT
- 頻率:
50MHz ~ 10GHz
- 增益:
23.4dB
- 額定電流(安培):
2μA
- 噪聲系數(shù):
2.5dB @ 50MHz
- 功率 - 輸出:
19.4dBm
- 封裝/外殼:
6-TDFN 裸露焊盤
- 描述:
RF MOSFET E-PHEMT 4V
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MINI |
23+ |
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