TAN350分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
TAN350 |
| 參數(shù)屬性 | TAN350 封裝/外殼為55ST；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST |
| 功能描述 | 350 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz |
| 封裝外殼 | 55ST |
| 文件大小 |
117.02 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | List of Unclassifed Manufacturers |
| 企業(yè)簡稱 |
ETC |
| 中文名稱 | 未分類制造商 |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-31 14:02:00 |
TAN350規(guī)格書詳情
[GHz-Technology]
GENERAL DESCRIPTION
The TAN 350 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
TAN350
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
- 頻率 - 躍遷：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
7dB ~ 7.5dB
- 功率 - 最大值：
1450W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
40A
- 工作溫度：
230°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55ST
- 供應(yīng)商器件封裝：
55ST
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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Description |
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