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T431616B-20C	文件：567.41 Kbytes Page：31 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Bis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleone	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616B-20S	文件：567.41 Kbytes Page：31 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Bis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleone	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616C	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616C-6S	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616C-6SG	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616C-7S	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616C-7SG	文件：720.07 Kbytes Page：30 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616Cis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x524,288wordsby16bits,fabricatedwithhighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepossibleon	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616D	文件：756.63 Kbytes Page：74 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616D/ESDRAMisahigh-speedCMOSsynchronousDRAMcontaining16Mbits.Itisinternallyconfiguredasadual512Kwordx16DRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe512Kx16bitbanksis	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616D-5C	文件：756.63 Kbytes Page：74 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616D/ESDRAMisahigh-speedCMOSsynchronousDRAMcontaining16Mbits.Itisinternallyconfiguredasadual512Kwordx16DRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe512Kx16bitbanksis	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT
T431616D-5CG	文件：756.63 Kbytes Page：74 Pages	1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM GRNERALDESCRIPTION TheT431616D/ESDRAMisahigh-speedCMOSsynchronousDRAMcontaining16Mbits.Itisinternallyconfiguredasadual512Kwordx16DRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe512Kx16bitbanksis	TMTTaiwan Memory Technology 凱鈺科技凱鈺科技股份有限公司	TMT

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