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SWH160R02VT中文資料芯派科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SWH160R02VT
廠商型號

SWH160R02VT

功能描述

N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET

絲印標(biāo)識

SW160R02V

封裝外殼

DFN33

文件大小

760.7 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

SEMIPOWER芯派科技

中文名稱

芯派科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-18 23:00:00

SWH160R02VT規(guī)格書詳情

Features

?

High ruggedness

?

Low RDS(ON) (Typ 12.3mΩ)@VGS=2.5V (Typ 9.4mΩ)@VGS=4.5V

?

Low Gate Charge (Typ 15.4nC)

?

Improved dv/dt Capability

?

100 Avalanche Tested

?

Application:DC-DC Converter, Inverter, Synchronous Rectification

General Description

This power MOSFET is produced with advanced technology of SAMWIN.

This technology enable the power MOSFET to have better characteristics, including fast

switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche

characteristics.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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