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SVF4N90F	文件：294.65 Kbytes Page：10 Pages	4A, 900V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N90F/MJ/T/DisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailored tominimizeon-stateresistance	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N90F	文件：294.66 Kbytes Page：10 Pages	4A, 900V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N90F/MJ/T/DisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailored tominimizeon-stateresistance	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
4N90	文件：165.57 Kbytes Page：6 Pages	4Amps,900VoltsN-CHANNELMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
4N90	文件：184.95 Kbytes Page：6 Pages	4Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
4N90	文件：65.65 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
4N90C	文件：197.15 Kbytes Page：5 Pages	4.0A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
AOTF4N90	文件：296.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOTF4N90	文件：43.7 Kbytes Page：6 Pages	HVMOSFamilyReport	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
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FIR4N90RG	文件：2.22911 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
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FQB4N90TM	文件：2.19384 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI4N90	文件：609.28 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP4N90	文件：648.23 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP4N90	文件：302.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP4N90C	文件：920.84 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP4N90C	文件：306.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP4N90C	文件：899.03 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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