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SVD640D	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A, 200V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD640DTR	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A, 200V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD640F	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD640S	文件：368.31 Kbytes Page：9 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide super	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD640STR	文件：368.31 Kbytes Page：9 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide super	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD640T	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF640T	文件：1.8167 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SW640	文件：397.58 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery SW640(6V4.0AH)	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威電源深圳市三威電源科技有限公司	SUNNYWAY
SW640	文件：582.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET [SEMIPOWER] GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedinSAMWINwithadvancedVDMOSprocess,planarstripe.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristic	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
SW640	文件：391.25 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威電源深圳市三威電源科技有限公司	SUNNYWAY
SW640	文件：784.84 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedinSAMWINwithadvancedVDMOSprocess,planarstripe.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.Itismain	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW640	文件：352.2 Kbytes Page：1 Pages	GeneralBattery	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威電源深圳市三威電源科技有限公司	SUNNYWAY
SW640D	文件：767.26 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-220/TO-220FT/TO-263MOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedtechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablethepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,includingfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics. Features ●Highrug	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW640E	文件：466.02 Kbytes Page：1 Pages	ConstantCurrent(Amp)andConstantPower(Watt)DischargeTableat25??77?? SW640E(6V4.0AH)	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威電源深圳市三威電源科技有限公司	SUNNYWAY
SWP640	文件：784.84 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedinSAMWINwithadvancedVDMOSprocess,planarstripe.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.Itismain	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWP640	文件：1.81669 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SXBP-640	文件：385.01 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
SXBP-640+	文件：385.01 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
T640N	文件：246.44 Kbytes Page：10 Pages	Netz-ThyristorPhaseControlThyristor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
TA640PW	文件：345.5 Kbytes Page：5 Pages	IsolatedTransmitter	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升陽廣州金升陽科技有限公司	MORNSUN

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