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SUD19P06-60-GE3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SUD19P06-60-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
TO-252AA
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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VISHAY/威世
24+
TO-252
1390
只做原廠渠道 可追溯貨源
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威世
新批號
TO252
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VISHAY/威世
2021+
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9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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TO-252
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VISHAY
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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更多SUD19P06-60-GE3供應商 更新時間2025-3-13 11:22:00

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