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SUB75N08	文件：373.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SUB75N08-09L	文件：306.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SUB75N08-10	文件：306.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SUB75N08-09L	文件：90.04 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SUB75N08-10	文件：59.66 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 75-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
75N08	文件：32.14 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance DESCRIPTION Suitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiency,highfrequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputerapplications.Itisalsointendedforanyapplicationwithlowgatedriverequirements. FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltag	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
75N08	文件：195.02 Kbytes Page：2 Pages	75Amps,80VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
BR75N08	文件：1.25158 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
ET75N08	文件：308.71 Kbytes Page：9 Pages	80V,75A,N-ChannelPowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司	ESTEK
FDP75N08	文件：332.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDP75N08	文件：674.5 Kbytes Page：8 Pages	75VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP75N08	文件：674.35 Kbytes Page：8 Pages	75VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP75N08A	文件：631.63 Kbytes Page：8 Pages	75VN-ChannelMOSFET Description UniFET?MOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitable	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP75N08A	文件：332.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FM75N08	文件：862.62 Kbytes Page：7 Pages	75A80VNChannelMosfetTransistor █APPLICATIONSL LowVoltagehigh-SpeedSwitching. Tstg——StorageTemperature………………………-55~175℃ Tj——OperatingJunctionTemperature………………150℃ PD——AllowablePowerDissipation（Tc=25℃）………173W VGSS——Gate-SourceVoltage………………………±20V VDSS——Drain-SourceVoltage	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
HFP75N08	文件：276.09 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
RU75N08L	文件：298.29 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
RU75N08R	文件：999.78 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RU75N08R	文件：450.29 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
RU75N08S	文件：450.29 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SUB75N08
功能描述：
MOSFET 75V 75A 250W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	SUB75N08		24+	N/A	1057		詢價
深圳市億智騰科技有限公司	SUB75N08	VISHAY	24+	TO-263	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	SUB75N08-10	VISHAY	23+	TO-263	19567		詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SUB75N08-10-E3	VISHAY	2016+	TO-263	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實業(yè)有限公司	SUB75N08-10	Vishay	17+	TO-263	6200		詢價
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深圳市宇集芯電子有限公司	SUB75N08-10	VISHAY	24+	TO-263	90000	一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理	詢價
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更多SUB75N08供應(yīng)商更新時間2024-10-31 16:00:00

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