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STW47NM60ND中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STW47NM60ND
廠商型號

STW47NM60ND
功能描述

N-channel 600 V, 0.075 廓 typ., 35 A FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package
文件大小

1.043589 Mbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體（ST）集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-9 10:30:00

STW47NM60ND規(guī)格書詳情

Description

This device is an N-channel Power MOSFET realized using the second generation of MDmesh? technology known as FDmesh? II. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.

■ The worldwide best RDS(on)*area amongst the fast recovery diode devices

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

Application

■ Switching applications

– Automotive

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STW47NM60ND

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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