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STU7NM60N中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STU7NM60N
廠商型號

STU7NM60N
功能描述

N-channel 600 V, 5 A, 0.84 ohm, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK second generation MDmesh Power MOSFET
文件大小

885.94 Kbytes
頁面數(shù)量

17 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 22:58:00
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STU7NM60N規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs realized using the second generation of MDmeshTM technology. It applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

Switching applications

產品屬性

  • 型號：

    STU7NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2016+
TO-251
3900
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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ST
13+
TO-251
20
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ST/意法
22+
IPAK
100000
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ST/意法
24+
IPAK
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ST/意法半導體
23+
TO-251-3
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