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STS01DTP06分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列規(guī)格書PDF中文資料

STS01DTP06
廠商型號

STS01DTP06

參數(shù)屬性

STS01DTP06 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列;產(chǎn)品描述:TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

功能描述

DUAL NPN-PNP COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

文件大小

298.83 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體(ST)集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-17 22:59:00

STS01DTP06規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The STS01DTP06 is a Hybrid dual NPN-PNP complementary power bipolar transistor manufactured by using the latest low voltage planar technology. The STS01DTP06 is housed in dual island SO-8 package with separated terminals for higher assembly flexibility, specifically recommended to be used in Push-Pull or Totem Pole configuration as post IGBTs and MOSFETs driver.

General Features

■ HIGH GAIN

■ LOW VCE(sat)

■ SIMPLIFIED CIRCUIT DESIGN

■ REDUCED COMPONENT COUNT

APPLICATION

■ PUSH-PULL OR TOTEM-POLE CONFIGURATION

■ MOSFET AND IGBT GATE DRIVING

■ MOTOR, RELAY AND SOLENOID DRIVING

STS01DTP06屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列。意法半導(dǎo)體(ST)集團制造生產(chǎn)的STS01DTP06晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個或更多的分立晶體管,這些晶體管可在電氣上完全隔離,也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補的特性,采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STS01DTP06

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN,PNP

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    3A

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    30V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 100mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,2V

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO

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