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STQ1NK60ZR-AP中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STQ1NK60ZR-AP
廠商型號

STQ1NK60ZR-AP

功能描述

N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET

文件大小

657.29 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-16 22:59:00

STQ1NK60ZR-AP規(guī)格書詳情

Description

This device is a N-channel SuperMESH? that is obtained through an optimization of STMicroelectronics’ well-established strip-based PowerMESH? layout. In addition to pushing on resistance significantly lower, it also ensures very good dv/dt capability for the most demanding applications. This seriescomplement STs’ full range of high voltage Power MOSFETs.

■ 100 avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

■ ESD improved capability

■ New high voltage benchmark

Application

Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STQ1NK60ZR-AP

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SuperMESH™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
7384
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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2020+
TO92
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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原裝現(xiàn)貨,歡迎詢價
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全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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23+
TO-92
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
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STMicroelectronics
24+
TO-92-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ST/意法
09+
TO-92
4134
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ST
22+
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20000
原裝正品支持實單
詢價