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STPSC40H12C-Y

40 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NCE40H12

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE40H12A

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE40H12Ausesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=40V,ID=120A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE40H12I

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE40H12K

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE40H12K

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STPSC40H12C

Robusthighvoltageperiphery

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STPSC40H12CWY

40A1200VpowerSchottkysiliconcarbidediode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STPSC40H12C-Y供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 11:00:00

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