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STPSC10065DLF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

STPSC10065DLF
廠商型號

STPSC10065DLF

參數(shù)屬性

STPSC10065DLF 封裝/外殼為8-PowerVDFN;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:650 V 10 A POWER SCHOTTKY SILICO

功能描述

650 V, 10 A power Schottky silicon carbide diode
650 V 10 A POWER SCHOTTKY SILICO

文件大小

379.31 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-26 16:05:00

STPSC10065DLF規(guī)格書詳情

STPSC10065DLF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STPSC10065DLF二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

Features

? Less than 1 mm height package

? High creepage package

? No or negligible reverse recovery

? Temperature independent switching behavior

? High forward surge capability

? Very low drop forward voltage

? Power efficient product

? ECOPACK2 compliant component

Description

This 10 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is

manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows

the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky

construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The

minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Qualified in low profile package, the STPSC10065DLF in PowerFLAT 8x8 HV,

enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space

environment such as telecom and network, industrial or renewable energy domains.

Applications

? Boost PFC

? Bootstrap diode

? LLC clamping function

? High frequency inverter applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STPSC10065DLF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    ECOPACK?2

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)

  • 不同?Vr、F 時電容:

    670pF @ 0V,1MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-PowerVDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerFlat?(8x8)HV

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 175°C

  • 描述:

    650 V 10 A POWER SCHOTTKY SILICO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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