STP4N62K3中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STP4N62K3規(guī)格書詳情
Description
These SuperMESH3? Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH? technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected
Applications
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號:
STP4N62K3
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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STM原廠目錄 |
24+ |
TO-220 |
28500 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
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原裝正品 |
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NA |
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三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
STMicroelectronics |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
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ST |
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19+ |
TO-220 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
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S |
23+ |
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