STP3NB60中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
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DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.34 ?
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY(UPS)
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER ENVIRONMENT
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STP3NB60
- 功能描述：
MOSFET RO 512-FQP3N60 3/05
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3373 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ST |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
8795 |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
ST |
TO-220 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
STP3NB60FP |
2721 |
2721 |
詢價(jià) | ||||
ST |
22+ |
TO-220 |
35288 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
N/A |
4200 |
詢價(jià) |
