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STP21N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP21N65M5
廠商型號

STP21N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.150 廓, 17 A MDmesh??V Power MOSFET D?PAK, TO-220FP, TO-220, I?PAK, TO-247

絲印標(biāo)識

21N65M5

封裝外殼

TO-220

文件大小

1.43958 Mbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-6 22:59:00

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STP21N65M5規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features

■ Worldwide best RDS(on) * area

■ Higher VDSS rating

■ High dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ 100 avalanche tested

Application

Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STP21N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 650 V MDMesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
23+
NA/
120
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
ST
2016+
TO-220AB
3500
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
詢價(jià)
ST
2020+
TO220
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
Through Hole
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
ST
22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
ST
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價(jià)
ST
17+
TO-220
3859
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
Through Hole
12700
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美
詢價(jià)
stm
23+
NA
356
專做原裝正品,假一罰百!
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
Through Hole
8860
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)