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STL325N4LF8AG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

STL325N4LF8AG
廠商型號(hào)

STL325N4LF8AG

參數(shù)屬性

STL325N4LF8AG 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

功能描述

Automotive N?channel enhancement mode logic level 40 V, 0.75 mΩ max., 373 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

文件大小

644.92 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-17 15:28:00

STL325N4LF8AG規(guī)格書詳情

STL325N4LF8AG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STL325N4LF8AG晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? AEC-Q101 qualified

? MSL1 grade

? 175 °C operating temperature

? 100 avalanche tested

? Wettable flank package

Description

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F8 technology featuring an

enhanced trench gate structure.

It ensures very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate

charge for faster and more efficient switching.

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STL325N4LF8AG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
21+
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2021+
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
22+
PowerFLAT-8x8-HV-5
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ST
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QFN
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