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SZ5518	文件：147.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
SZ5518	文件：477.223 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
SZ5518	文件：476.733 Kbytes Page：2 Pages	3W18VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
SZ5518	文件：229.74 Kbytes Page：3 Pages	3WSiliconZenerDiodes Features ◇CompleteVoltageRange3.9to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SZ5518	文件：80.42 Kbytes Page：2 Pages	3WattsSurfaceMountZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.9to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
SZ5518	文件：28.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ5518	文件：47.64 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
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TC5518CFL	文件：458.32 Kbytes Page：9 Pages	2,048WORDX8BITCMOSSTATICRAM DESCRIPTION The TC5518CP/CF isa16384-bithighspeedand lowpowersullystaticrandomaccessmemoryorga- nizedas2048wordsbya8bitsusingCMOStech- nology,andoperatesfromasingle5voltsupply. TheTC5518CP/CFhastwochipenableinputs,CE1 andCE2,whichareusedfordevice	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC5518CP	文件：458.32 Kbytes Page：9 Pages	2,048WORDX8BITCMOSSTATICRAM DESCRIPTION The TC5518CP/CF isa16384-bithighspeedand lowpowersullystaticrandomaccessmemoryorga- nizedas2048wordsbya8bitsusingCMOStech- nology,andoperatesfromasingle5voltsupply. TheTC5518CP/CFhastwochipenableinputs,CE1 andCE2,whichareusedfordevice	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC5518CPL	文件：458.32 Kbytes Page：9 Pages	2,048WORDX8BITCMOSSTATICRAM DESCRIPTION The TC5518CP/CF isa16384-bithighspeedand lowpowersullystaticrandomaccessmemoryorga- nizedas2048wordsbya8bitsusingCMOStech- nology,andoperatesfromasingle5voltsupply. TheTC5518CP/CFhastwochipenableinputs,CE1 andCE2,whichareusedfordevice	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TSA5518M	文件：161.49 Kbytes Page：20 Pages	1.3GHzbidirectionalI2C-buscontrolledsynthesizer	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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更多STI5518DVC供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 14:10:00

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