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STI11NM80中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STI11NM80
廠商型號

STI11NM80

功能描述

N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh? Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220, TO-247

絲印標識

I11NM80

封裝外殼

I2PAK

文件大小

908.99 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-16 18:32:00

STI11NM80規(guī)格書詳情

Features

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Best RDS(on)*Qg in the industry

Applications

■ Switching applications

Description

These N-channel Power MOSFETs are

developed using STMicroelectronics'

revolutionary MDmesh? technology, which

associates the multiple drain process with the

company's PowerMESH? horizontal layout.

These devices offer extremely low on-resistance,

high dv/dt and excellent avalanche

characteristics. Utilizing ST's proprietary strip

technique, these Power MOSFETs boast an

overall dynamic performance which is superior to

similar products on the market.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STI11NM80

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
0826+
TO-262
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ST
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