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STH260N6F6-2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STH260N6F6-2
廠商型號

STH260N6F6-2

功能描述

N-channel 60 V, 1.7 m廓 typ., 180 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in H?PAK-2 package

文件大小

730.79 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-9 22:59:00

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STH260N6F6-2規(guī)格書詳情

Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

Features

■ Low gate charge

■ Very low on-resistance

■ High avalanche ruggedness

Applications

■ Switching applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
23+
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ST/意法半導(dǎo)體
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