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STGWA30N120KD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：STGWA30N120KD品牌：STMicroelectronics

全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷

STGWA30N120KD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的STGWA30N120KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    STGWA30N120KD

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    423.46 kb

  • 資料說(shuō)明：

    30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWA30N120KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.85V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    2.4mJ（開），4.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    36ns/251ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 60A 220W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機(jī)：

    13682380609

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)賽格電子市場(chǎng)69樓6904B-6905A室

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