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STGW40H65FB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGW40H65FB
廠(chǎng)商型號(hào)

STGW40H65FB

參數(shù)屬性

STGW40H65FB 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 80A 283W TO247

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
IGBT 650V 80A 283W TO247

文件大小

1.08307 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

21 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠(chǎng)下載下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

更新時(shí)間

2025-1-3 16:20:00

STGW40H65FB規(guī)格書(shū)詳情

STGW40H65FB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW40H65FB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGW40H65FB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,40A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    498mJ(開(kāi)),363mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    40ns/142ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,40A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 650V 80A 283W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-247-3
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秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
TO-247-3
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ST/
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TO247
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詢(xún)價(jià)
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ST/意法
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST
22+
TO247
9000
原廠(chǎng)渠道,現(xiàn)貨配單
詢(xún)價(jià)