首頁>STGW30NC60KD>詳情

STGW30NC60KD 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGW30NC60KD參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STGW30NC60KD品牌：ST/意法半導體

原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu)

STGW30NC60KD是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法半導體/STMicroelectronics生產封裝TO-247-3的STGW30NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGW30NC60KD

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內容頁數(shù)：

    14 頁

  • 文件大?。?/span>

    349 kb

  • 資料說明：

    30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    STGW30NC60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，20A

  • 開關能量：

    350μJ（開），435μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    29ns/120ns

  • 測試條件：

    480V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 200W TO247

供應商

  • 企業(yè)：

    芯燦微（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機：

    18924670674

  • 詢價：
  • 電話：

    18924670674

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路42號中航北苑大廈11-B4

相近型號