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STGW20H60DF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGW20H60DF參考圖片

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原廠料號(hào)：STGW20H60DF品牌：ST(意法半導(dǎo)體)

30個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期

STGW20H60DF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST(意法半導(dǎo)體)/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247(AC)/TO-247-3的STGW20H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    STGW20H60DF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    17 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1298.89 kb

  • 資料說(shuō)明：

    600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW20H60DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    209μJ（開(kāi)），261μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    42.5ns/177ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 600V 40A 167W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    艾睿國(guó)際（香港）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    Amy

  • 手機(jī)：

    15813737183

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    15813737183

  • 地址：

    香港上環(huán)永樂(lè)街121-125號(hào)永達(dá)商業(yè)大廈3樓A室

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