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STGP19NC60KD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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原廠料號:STGP19NC60KD品牌:ST/意法

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STGP19NC60KD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO220/TO-220-3的STGP19NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    STGP19NC60KD

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體(ST)集團

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    17 頁

  • 文件大?。?/span>

    586.14 kb

  • 資料說明:

    20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    STGP19NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    165μJ(開),255μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/105ns

  • 測試條件:

    480V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 35A 125W TO220

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市興燦科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    劉先生

  • 手機:

    15813871883

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-23942131

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北街道振興路新欣大廈B座5樓585室