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STGP12NB60KD

N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGP12NB60KD

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 30A 125W TO220

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意法半導體意法半導體集團

STGB12NB60KD

N-CHANNEL18A-600VTO-220/D2PAKSHORTCIRCUITPROOFPowerMESHIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STGP12NB60H

N-CHANNEL12A-600VTO-220PowerMESHIGBT

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperfomances.Thesuffix”H”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequen

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STGP12NB60HD

N-CHANNEL12A-600VTO-220PowerMESH??IGBT

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperfomances.ThesuffixHidentifiesafamilyoptimizedforhighfrequencyapplications(upto50kHz)inorder

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STGP12NB60K

N-CHANNEL18A-600VTO-220SHORTCIRCUITPROOFPowerMESH??IGBT

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STGW12NB60H

N-CHANNEL12A-600VTO-247PowerMESHIGBT

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperfomances.Thesuffix”H”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequ

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGW12NB60HD

N-CHANNEL12A-600VTO-247PowerMESHIGBT

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperfomances.Thesuffix”H”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequ

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STW12NB60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STW12NB60

N-CHANNEL600V-0.5ohm-12ATO-247PowerMesh??IMOSFET

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGP12NB60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    258μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    25ns/96ns

  • 測試條件：

    480V，12A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 30A 125W TO220

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
24+
TO220ABNONISOL
8866
詢價
ST
23+
TO-220
8795
詢價
ST
17+
TO-220
6200
詢價
ST
1726+
TO-220
6528
只做進口原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十!
 詢價
ST
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
ST/意法
23+
TO220ABNONISOL
10000
公司只做原裝正品
 詢價
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
ST/意法
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
ST
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
ST/意法
2022
TO-220
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
更多STGP12NB60KD供應商 更新時間2025-1-31 15:30:00

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