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STGF6NC60HD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGF6NC60HD
廠商型號

STGF6NC60HD

參數(shù)屬性

STGF6NC60HD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 20W TO220FP

功能描述

N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH??IGBT
IGBT 600V 6A 20W TO220FP

文件大小

424.69 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 18:06:00

STGF6NC60HD規(guī)格書詳情

STGF6NC60HD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGF6NC60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGF6NC60HD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,3A

  • 開關能量:

    20μJ(開),68μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    12ns/76ns

  • 測試條件:

    390V,3A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝:

    TO-220FP

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 20W TO220FP

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