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STGF10NC60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGF10NC60KD
廠商型號

STGF10NC60KD

參數(shù)屬性

STGF10NC60KD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 9A 25W TO220FP

功能描述

10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
IGBT 600V 9A 25W TO220FP

文件大小

1.6576 Mbytes

頁面數(shù)量

30

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-22 18:30:00

STGF10NC60KD規(guī)格書詳情

STGF10NC60KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGF10NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

These devices are very fast IGBTs developed

using advanced PowerMESH? technology. This

process guarantees an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior. These devices are well-suited for

resonant or soft-switching applications.

Features

? Lower on voltage drop (VCE(sat))

? Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction

susceptibility)

? Very soft ultra fast recovery antiparallel

diode

? Short-circuit withstand time 10 μs

Applications

? High frequency motor controls

? SMPS and PFC in both hard switch and

resonant topologies

? Motor drives

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGF10NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    55μJ(開),85μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    17ns/72ns

  • 測試條件:

    390V,5A,10歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220FP

  • 描述:

    IGBT 600V 9A 25W TO220FP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO220FP3
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