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STGD10NC60SDT4分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD10NC60SDT4
廠商型號

STGD10NC60SDT4

參數(shù)屬性

STGD10NC60SDT4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK

功能描述

10 A, 600 V fast IGBT
IGBT 600V 18A 60W DPAK

文件大小

1.07434 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-22 20:00:00

STGD10NC60SDT4規(guī)格書詳情

STGD10NC60SDT4屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGD10NC60SDT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGD10NC60SDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.65V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    60μJ(開),340μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    19ns/160ns

  • 測試條件:

    390V,5A,10歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 18A 60W DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
ST全系列
22+23+
DPAK
26041
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
詢價
ST
TO-252
93480
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價
STGD14NC60K
7500
7500
詢價
onsemi
23+/24+
SOT-23-6
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
ST
24+
TO252DPAK
8866
詢價
STM原廠目錄
24+
DPAK
28500
授權代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
詢價
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
安森美
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
詢價
ST/意法
22+
N
28000
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十
詢價