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STGD10HF60KD

Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STGD10HF60KD

包裝：管件 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 10A DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

GB10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

GD10HF60KD

Automotive-grade10A,600V,short-circuitruggedIGBTwithUltrafastdiode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STGB10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STGF10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STGF10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STGP10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STGP10HF60KD

10A-600V-short-circuitruggedIGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGD10HF60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.75V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    45μJ（開），105μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    9.5ns/87ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，5A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 10A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-252
2669
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ST
22+
NA
518000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
新批次
TO-252
3000
詢價(jià)
ST
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
ST全系列
22+23+
DPAK
26160
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
1926+
DPAK
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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STM原廠目錄
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DPAK
28500
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 詢價(jià)
STM
1809+
TO-252
3675
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 詢價(jià)
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
更多STGD10HF60KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-8 13:24:00

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