首頁>STGBL6NC60DI>規(guī)格書詳情

STGBL6NC60DI分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGBL6NC60DI
廠商型號

STGBL6NC60DI

參數屬性

STGBL6NC60DI 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 14A 56W D2PAK

功能描述

6 A, 600 V hyper fast IGBT
IGBT 600V 14A 56W D2PAK

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

645.32 Kbytes

頁面數量

18

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 23:00:00

STGBL6NC60DI規(guī)格書詳情

STGBL6NC60DI屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGBL6NC60DI晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGBL6NC60DIT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,3A

  • 開關能量:

    32μJ(開),24μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    6.7ns/46ns

  • 測試條件:

    390V,3A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 56W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
5000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
ST
TO-263
93480
集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現貨-正規(guī)
詢價
ST
24+
TO-263
7500
詢價
STM原廠目錄
24+
D2PAK
28500
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特價銷售
詢價
ST/意法
22+
TO263
18000
原裝正品
詢價
STMicroelectronics
2022+
D2PAK
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ST
22+
D2PAK
25000
只做原裝進口現貨,專注配單
詢價
ST/意法
23+
D2PAK
10000
公司只做原裝正品
詢價
ST/意法
11+
TO263
1000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
STMicro.
23+
DPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢
詢價