首頁(yè)>STGB8NC60KDT4>詳情

STGB8NC60KDT4_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET艾睿國(guó)際

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    STGB8NC60KDT4

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    100500

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMD

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2021+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：STGB8NC60KDT4品牌：ST

一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨

  • 芯片型號(hào)：

    STGB8NC60KDT4

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱(chēng)：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    18 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    562.01 kb

  • 資料說(shuō)明：

    600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    STGB8NC60KDT4

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    艾睿國(guó)際（香港）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蔡小姐

  • 手機(jī)：

    15813737183

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    15813737183

  • 地址：

    香港上環(huán)永樂(lè)街121-125號(hào)永達(dá)商業(yè)大廈3樓A室

相近型號(hào)