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STGB6NC60HDT4_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 PowerMESH TM IGBT納艾斯

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  • 廠家型號(hào)：

    STGB6NC60HDT4

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2020+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-27 15:22:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：STGB6NC60HDT4品牌：ST

只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增

  • 芯片型號(hào)：

    STGB6NC60HDT4

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    18 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    424.69 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH??IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    STGB6NC60HDT4

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 PowerMESH TM IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納艾斯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖小姐

  • 手機(jī)：

    13117514091

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-/82781136/2707495

  • 傳真：

    0755-82707495

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格大廈5803A

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