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STGB5H60DF中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STGB5H60DF
廠商型號

STGB5H60DF

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

絲印標(biāo)識

GB5H60DF

封裝外殼

D2PAK

文件大小

872.71 Kbytes

頁面數(shù)量

30

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 17:10:00

STGB5H60DF規(guī)格書詳情

Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate and field-stop

structure. The devices are part of the H series of

IGBTs, which represent an optimum compromise

between conduction and switching losses to

maximize the efficiency of high switching

frequency converters. Moreover, a slightly

positive VCE(sat) temperature coefficient and very

tight parameter distribution result in safer

paralleling operation.

Features

? High speed switching

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Short-circuit rated

? Ultrafast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Motor control

? UPS, PFC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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