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STGB3NC120HDT4

7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode

Description ThishighvoltageandveryfastIGBTshowsan excellenttrade-offbetweenlowconductionlosses andfastswitchingperformance.Itisdesignedin PowerMESH?technologycombinedwithhigh voltageultrafastdiode. Features ■Highvoltagecapability ■Highspeed ■Verysoftult

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    STGB3NC120HDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ST/意法半導(dǎo)體
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D2PAK
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原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
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ST/意法
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D2PAK
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更多STGB3NC120HDT4供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-22 8:12:00