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STGB35N35LZ

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH?technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB35N35LZ-1

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH?technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB35N35LZT4

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH?technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB35N35LZ-1

Package：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 345V 40A 176W I2PAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB35N35LZT4

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 345V 40A 176W D2PAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP35N35LZ

Automotive-grade345VinternallyclampedIGBT,EAS450mJ

Description ThisapplicationspecificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH?technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgateemitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    STGB35N35LZ

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
1926+
D2PAKTO-220
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
STM原廠目錄
24+
D2PAK;TO-220
28500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售
 詢價(jià)
ST
22+
D2PAKTO-220
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
ST/意法
23+
TO-263
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
 詢價(jià)
ST
22+
TO-263
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-263
99243
詢價(jià)
ST
25+
TO-263
37650
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
ST
21+
D2PAKTO-220
23480
詢價(jià)
STMicro.
23+
DPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ST
23+
TO-263
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)
更多STGB35N35LZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-9 17:48:00

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