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STGB18N40LZ-1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGB18N40LZ-1
廠商型號(hào)

STGB18N40LZ-1

參數(shù)屬性

STGB18N40LZ-1 封裝/外殼為TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 420V 30A 150W I2PAK

功能描述

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
IGBT 420V 30A 150W I2PAK

文件大小

636.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 16:10:00

STGB18N40LZ-1規(guī)格書詳情

STGB18N40LZ-1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGB18N40LZ-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGB18N40LZ-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    650ns/13.5μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,10A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I2PAK(TO-262)

  • 描述:

    IGBT 420V 30A 150W I2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
原廠原封
93480
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
ST
22+
SOT263
10000
原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!13246658303
詢價(jià)
ST/意法
23+
TO263
32732
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
STMicro.
23+
D2PAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
ST
24+
TO263
90000
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理
詢價(jià)
ST(意法)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價(jià)
ST
24+
TO220MONOC..
8866
詢價(jià)
ST/意法
22+
N/A
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體半導(dǎo)體
24+
TO263
444
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
ST/意法
2020+
NA
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)