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STB8NM60T4中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB8NM60T4
廠商型號(hào)

STB8NM60T4

功能描述

N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh? Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK

絲印標(biāo)識(shí)

B8NM60

封裝外殼

D2PAK

文件大小

558.91 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 20:00:00

STB8NM60T4規(guī)格書(shū)詳情

Description

The MDmesh? is a new revolutionary Power

MOSFET technology that associates the multiple

drain process with the company’s PowerMESH?

horizontal layout. The resulting product has an

outstanding low on-resistance, impressively high

dv/dt and excellent avalanche characteristics. The

adoption of the company’s proprietary strip

technique yields overall dynamic performance

that is significantly better than that of similar

competition’s products.

Features

■ 100 avalanche tested

■ HIgh dv/dt and avalanche capabilities

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB8NM60T4

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
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NA/
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ST/意法半導(dǎo)體
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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