STB8NM60D中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STB8NM60D規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current -ID= 5.0A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 1.0Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
產品屬性
- 型號：
STB8NM60D
- 功能描述：
MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2018+ |
TO263 |
6528 |
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詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
2402+ |
TO263 |
8324 |
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詢價 | ||
ST |
D2PAK |
699839 |
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ST專家 |
22+23+ |
D2PAK |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263-3 |
238 |
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詢價 | ||
STMicro. |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
N/A |
20000 |
詢價 | |||
ST |
2023+ |
D2PAK |
5800 |
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詢價 | ||
ST |
22 |
D2PAK |
25000 |
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詢價 |
