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STB21NM60ND中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB21NM60ND
廠商型號(hào)

STB21NM60ND

功能描述

N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

文件大小

545.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 23:00:00

STB21NM60ND規(guī)格書(shū)詳情

Description

The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.

Features

■ The worldwide best RDS(on)*area amongst the fast recovery diode devices

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB21NM60ND

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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