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STB18NM80

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.295Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STB18NM80

N-channel 800 V, 0.25 廓, 17 A, MDmes Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STF18NM80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.295Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STF18NM80

N-channel800V,0.25廓,17A,MDmesPowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STF18NM80

N-channel800V,0.25廓,17A,MDmesh??PowerMOSFETinD?PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247packages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STP18NM80

N-channel800V,0.25廓,17A,MDmesPowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

STP18NM80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.295Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STW18NM80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.295Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STW18NM80

N-channel800V,0.25廓,17A,MDmesPowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    STB18NM80

  • 功能描述：

    MOSFET N-channel 800 V MDMesh

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STMicroelectronics
23+
TO-263
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
N/A
22+
N/A
602
原裝正品，支持實單特價出
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ST(意法半導(dǎo)體)
23+
D2PAK
8498
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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2024+
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70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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STMicro.
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3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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更多STB18NM80供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 15:00:00

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