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STB150N3LH6_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE吉銘電子科技

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  • 廠家型號(hào)：

    STB150N3LH6

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    63880

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-10 10:47:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：STB150N3LH6品牌：ST

本公司只售原裝 支持實(shí)單

  • 芯片型號(hào)：

    STB150N3LH6

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    15 頁(yè)

  • 文件大小：

    1003.61 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-channel 30 V, 2.4 m??typ., 80 A, STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in D?PAK package

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    STB150N3LH6

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市吉銘電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    廖小姐

  • 手機(jī)：

    13310877445

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    3244201807

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心1303

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