STB150N3LH6_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE吉銘電子科技

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  • 廠家型號(hào):

    STB150N3LH6

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    63880

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    21+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-5 15:06:00

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原廠料號(hào):STB150N3LH6品牌:ST

本公司只售原裝 支持實(shí)單

  • 芯片型號(hào):

    STB150N3LH6

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1003.61 kb

  • 資料說(shuō)明:

    N-channel 30 V, 2.4 m??typ., 80 A, STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in D?PAK package

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào):

    STB150N3LH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市吉銘電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    廖小姐

  • 手機(jī):

    13310877445

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    3244201807

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心1303