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STB13NM50N-1_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT星佑IC

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  • 廠家型號(hào)：

    STB13NM50N-1

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    16900

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-262

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-5 16:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：STB13NM50N-1品牌：ST

支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持!

  • 芯片型號(hào)：

    STB13NM50N-1

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    18 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    573 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-channel 500 V - 0.250 廓 - 12 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    STB13NM50N-1

  • 功能描述：

    MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市星佑電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    17665388525

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    17665388525

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3007號(hào)國(guó)際科技大廈2201

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