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START499D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

START499D
廠商型號

START499D

參數(shù)屬性

START499D 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 4.5V SOT89

功能描述

NPN RF silicon transistor
RF TRANS NPN 4.5V SOT89

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

238.53 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 17:10:00

START499D規(guī)格書詳情

START499D屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的START499D晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

Description

The START499D provide the market with a Si state-of-art RF process. Manufactured with ST 3rd generation bipolar process, it offers the highest power, gain and efficiency in SOT-89 for given breakdown voltage (BVCEo). START499D is suitable for a wide range of application up to 1 GHz.

Features

■ High efficiency

■ Common emitter configuration

■ Broadband performances POUT = 29 dBm with 14 dB gain @ 900 MHz

■ Plastic package

■ Linear and non linear operation

■ Supplied in tape and reel

■ In compliance with the 2002/95/EC european directive

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    START499D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4.5V

  • 增益:

    13dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    1.7W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 160mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    1A

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V SOT89

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
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SOT89
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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SOT89
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