STAC4932B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STAC4932B |
| 參數(shù)屬性 | STAC4932B 封裝/外殼為STAC244B；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANSISTOR RF MOSF N-CH STAC244B |
| 功能描述 | HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | STAC780-4B / STAC244B |
| 文件大小 |
299.9 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-18 17:08:00 |
STAC4932B規(guī)格書詳情
STAC4932B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STAC4932B晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Features
? Excellent thermal stability
? Common source push-pull configuration
? POUT = 1000 W min. (1200 W typ.) with 24.6 dB gain at 123 MHz
? Pulse conditions: 1ms, 10
? In compliance with the 2002/95/EC European directive
? ST air-cavity STAC package technology
Description
The STAC4932B is an N-channel MOS field-effect RF power transistor. It is intended
for 100 V pulse applications up to 250 MHz. This device is suitable for use in
industrial, scientific and medical applications. The STAC4932B benefits from the
latest generation of efficient, patent-pending STAC package technology.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STAC4932B
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
N 通道
- 頻率：
123MHz
- 增益：
26dB
- 功率 - 輸出：
1000W
- 封裝/外殼：
STAC244B
- 供應(yīng)商器件封裝：
STAC244B
- 描述：
TRANSISTOR RF MOSF N-CH STAC244B
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
高頻管 |
699839 |
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