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ST2SC1815	文件：183.58 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups, O,Y,GandL,accordingtoitsDCcurrent gain.AscomplementarytypethePNP transistorST2SA1015isrecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanb	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SC1815	文件：243.05 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC1815	文件：192.46 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC1815	文件：173.07 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTansistor NPNEpitaxialPlanarTansistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
2SC1815	文件：169.49 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNTransistor DESCRIPTION ?HighVoltageandHighCurrent Vceo=50V(Min.),Ic=150mA(Max) ?ExcellenthFELinearity ?LowNoise ?ComplementtoType2SA1015(O,Y,GRclass) APPLICATIONS ?AudiofrequencygeneralpurposeamplifierApplications ?Driverstageamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC1815	文件：256.029 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) ?ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：1.07537 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ●ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(Typ)atVCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1015. APPLICATIONS ●Audiofrequencyg	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SC1815	文件：235.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC1815	文件：172.65 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltageandhighcurrent VCEO=50V(Min),IC=150mA(Max). ●ExcellenthFElinearity: hFE(2)=100(Typ)atVCE=6V,IC=150mA hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA=0.95(Typ)) ●Lownoise. ●Complementaryto2SA1015. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplicati	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SC1815	文件：1.94881 Mbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) ?ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：215.02 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SC1815	文件：188.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES ?PowerDissipation PCM:0.4W(Ta=25°C) ?CollectorCurrent ICM:0.15A ?Collector-BaseVoltage V(BR)CBO:60V	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC1815	文件：142.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistor Features ●Powerdissipation	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC1815	文件：602.02 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent: VCEO=50V(min), IC=150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(typ.) atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：142.85 Kbytes Page：4 Pages	AudioFrequencyVoltageAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：212.87 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxailType(forAudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications ?Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) ?ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
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2SC1815	文件：49.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2SC1815isdesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS

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中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	ST2SC1815Y	ST		TO92	93480	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價(jià)
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