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ST2310DHI分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

ST2310DHI
廠商型號

ST2310DHI

參數(shù)屬性

ST2310DHI 封裝/外殼為ISOWATT-218-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218

功能描述

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218

封裝外殼

ISOWATT-218-3

文件大小

247.38 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-1 23:00:00

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ST2310DHI規(guī)格書詳情

ST2310DHI屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的ST2310DHI晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

DESCRIPTION

The device is manufactured using Diffused Collector technology for more stable operation Vs base drive circuit variations resulting in very low worst case dissipation.

■ NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE

■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING

■ INTEGRATED FREE WHEELING DIODE

■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V)

■ HIGH SWITCHING SPEED

■ TIGTHER hfe CONTROL

■ IMPROVED RUGGEDNESS

???????

APPLICATIONS:

■ HORIZONTAL DEFLECTION HIGH END TVS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    ST2310DHI

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 1.75A,7A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    5.5 @ 7A,5V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    ISOWATT-218-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOWATT-218

  • 描述:

    TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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