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SSW7N60B中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSW7N60B
廠商型號

SSW7N60B

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

656.22 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-8 23:00:00

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SSW7N60B規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies.

Features

? 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 38 nC)

? Low Crss ( typical 23 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SSW7N60B

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    600V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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