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SST29EE010-70-4C-PHE	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4C-UH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-ModeEEPROM PRODUCTDESCRIPTION The29EE010/29LE010/29VE010are128Kx8CMOSpagemodeEEPROMsmanufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplitgatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalterna	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4C-WH	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-WriteEEPROM	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
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SST29EE010-70-4I-EH	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-WriteEEPROM	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4I-EH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-ModeEEPROM PRODUCTDESCRIPTION The29EE010/29LE010/29VE010are128Kx8CMOSpagemodeEEPROMsmanufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplitgatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalterna	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4I-EHE	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-WriteEEPROM	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4I-NH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-ModeEEPROM PRODUCTDESCRIPTION The29EE010/29LE010/29VE010are128Kx8CMOSpagemodeEEPROMsmanufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplitgatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalterna	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4I-NH	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-WriteEEPROM	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4I-NHE	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-WriteEEPROM	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4I-PH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-ModeEEPROM PRODUCTDESCRIPTION The29EE010/29LE010/29VE010are128Kx8CMOSpagemodeEEPROMsmanufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplitgatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalterna	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
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SST29EE010-70-4I-WH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-ModeEEPROM PRODUCTDESCRIPTION The29EE010/29LE010/29VE010are128Kx8CMOSpagemodeEEPROMsmanufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplitgatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalterna	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4I-WH	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-WriteEEPROM	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4I-WHE	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-WriteEEPROM	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SST29EE010-70-4C-PHE
功能描述：
閃存 128K X 8 70ns
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
數(shù)據(jù)總線寬度：
1 bit
存儲(chǔ)類(lèi)型：
Flash
存儲(chǔ)容量：
2 MB
結(jié)構(gòu)：
256 K x 8
接口類(lèi)型：
SPI
電源電壓-最大：
3.6 V
電源電壓-最小：
2.3 V
最大工作電流：
15 mA
工作溫度：
- 40 C to + 85 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市福安甌科技有限公司	SST29EE010-70-4C-PHE	SST	22+	DIP32	5000	原裝現(xiàn)貨,特價(jià)銷(xiāo)售!	詢價(jià)
深圳市富芯樂(lè)電子科技有限公司	SST29EE010-70-4C-PHE	Greenliant	23+	DIP	27000	絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)銷(xiāo)售,歡迎來(lái)電查詢	詢價(jià)
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深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	SST29EE010-70-4C-PHE	SST		DIP32	97	正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談	詢價(jià)
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